收藏本站
IXFA7N100P IXFA7N100P
IXFH7N100P
14
12
Fig. 7. Input Admittance
14
12
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
10
T J = 125oC
10
25oC
25oC
- 40oC
8
6
4
2
0
8
6
4
2
0
125oC
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
30
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
25
14
12
V DS = 500V
I D = 3.5A
I G = 10mA
20
10
15
8
10
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
5
2
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
V SD - Volts
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
10,000
Fig. 11. Capacitance
1.00
f = 1 MHz
Ciss
1,000
100
10
Crss
Coss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_7N100P(56)9-16-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFB100N50P MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFB100N50Q3 MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFB120N50P2 MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IXFB170N30P MOSFET N-CH TO-264
IXFB210N20P MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB30N120P MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB38N100Q2 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXFB40N110P MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
相关代理商/技术参数
IXFA7N60P3 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 600V 7A
IXFA7N80P 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA8N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB 80N50Q2 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin PLUS 264 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin PLUS 264
IXFB100N50P 功能描述:MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB100N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB110N60P3 功能描述:MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB120N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube